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STGP4M65DF2

STMicroelectronics

  • STGP4M65DF2 Image
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产品概述

型号 STGP4M65DF2
厂家/品牌 STMicroelectronics
产品描述 IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
数据库 1.STGP4M65DF2.pdf 2.STGP4M65DF2.pdf 3.STGP4M65DF2.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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参考价格(美元)
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产品特性

  • 型号STGP4M65DF2
  • 制造商STMicroelectronics
  • 描述IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
  • 产品分类49
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 输入类型Standard
  • 系列M
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->IGBTs-->Single IGBTs
  • 的VCE(on)(最大)@ VGE,IC2.1V @ 15V, 4A
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大)8 A
  • 电流 - 集电极脉冲(ICM)16 A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)650 V
  • 测试条件400V, 4A, 47Ohm, 15V
  • 栅极电荷15.2 nC
  • 开关能量40µJ (on), 136µJ (off)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号STGP4
  • 反向恢复时间(trr)133 ns
  • 包裹Tube
  • 功率 - 最大68 W
  • 供应商设备封装TO-220
  • 产品状态Active
  • Td(开/关)@ 25°C12ns/86ns
  • IGBT类型Trench Field Stop

售后服务

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